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5分の充電で5時間使える「Quick Charge 4」、2017年前半に登場

「Snapdragon 835」はサムスンの10nmプロセスで製造

 クアルコムは、次世代の急速充電規格「Quick Charge 4」を発表した。同社のハイエンド向け新チップセット「Snapdragon 835」でサポートされ、2017年前半に搭載端末が登場する。

 「Quick Charge 4」は、典型的なスマートフォンユーザーでは、5分の充電で5時間以上、利用時間を延ばせるという急速充電技術。「Quick Charge 3.0」より20%高速に、最大30%効率良く充電ができる新技術「Dual Charge」を搭載している。また、USB Type-C接続と、USBの給電規格「USB-PD」へのサポートが組み込まれており、Quick Charge 4対応端末は、USB-PDのチャージャーでも急速充電できる。

 また、2017年前半に登場するハイエンドチップセット「Snapdragon 835」は、サムスンの10nm FinFETプロセス技術によって製造すると発表した。サムスンが10月に稼働を開始した業界初の10nmラインは、14nmプロセスと比較して、27%高性能化され、40%低消費電力化し、面積効率を30%向上させることが可能としている。Snapdragon 835は、チップ設計の改善により、より小さな面積で低消費電力な製品となるという。

クアルコムテクノロジーズのシニアバイスプレジデント Keith Kressin氏(左)と、サムスン電子のシニアバイスプレジデント Ben Suh氏(右)