日立、20nmのモバイル機器向けCMOSデバイス技術を開発
日立製作所は、モバイル機器に適したCMOSの基本技術として、高速・低電力アプリケーションに適したゲート長20ナノメートル(nm)のCMOSデバイス技術を開発し、6月11日から米国ホノルルで開催されている電子デバイス関連の国際会議「The 2002 Symposium on VLSI Technology」で発表した。ゲート長の微細化および新開発の窒化膜系のゲート絶縁膜により、デバイスの高速動作を実現するほか、ゲート漏れ電流を従来の1/10に抑制できるという。
・ ニュースリリース
http://www.hitachi.co.jp/New/cnews/2002/0611a/index.html
日立、SD対応製品用システムLSIを来年3月から量産
日立製作所 半導体グループは、松下電器産業のSDカード著作権保護技術「CPRM」機能を内蔵したSDカードホストインターフェイスのIPライセンス供与を受け、携帯電話向けのアプリケーションプロセッサ「SH-Mobile」など、SDカード対応製品向けのシステムLSIを2003年3月から量産開始する。
・ ニュースリリース
http://www.hitachi.co.jp/New/cnews/2002/0611/index.html
2002/06/11 20:12
|