シャープ、台湾のメーカーと次世代フラッシュメモリ技術を共同開発
シャープは、台湾の半導体メーカーWinbond Electronics Corporationと、次世代フラッシュメモリ技術の共同開発を行なうことで合意した。 これにより、シャープが独自開発したメモリセル(メモリLSIで最小単位の情報を記憶する部分)技術「ACT1」を用いた、0.18ミクロンおよび0.13ミクロンのフラッシュメモリ技術を共同開発し、2004年第1四半期に0.13ミクロンの128MBまたは256MBのフラッシュメモリを実現するという。
・ ニュースリリース
http://www.sharp.co.jp/corporate/news/011108.html
2001/11/08 00:00
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