シャープ、台湾のメーカーと次世代フラッシュメモリ技術を共同開発

　シャープは、台湾の半導体メーカーWinbond Electronics Corporationと、次世代フラッシュメモリ技術の共同開発を行なうことで合意した。
　これにより、シャープが独自開発したメモリセル（メモリLSIで最小単位の情報を記憶する部分）技術「ACT1」を用いた、0.18ミクロンおよび0.13ミクロンのフラッシュメモリ技術を共同開発し、2004年第１四半期に0.13ミクロンの128MBまたは256MBのフラッシュメモリを実現するという。

・ニュースリリース
http://www.sharp.co.jp/corporate/news/011108.html