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米インテルは、薄型のメモリチップを最大5枚積層できるスタックド・チップスケール・パッケージング「インテル 超薄型スタックドCSP」による携帯電話向けフラッシュメモリ製品を発表した。現在、サンプル出荷中で、2003年末にも量産出荷される。 同製品は、同社のフラッシュメモリ「1.8V Intel StrataFlashワイヤレスメモリ」と、メモリチップを最大5枚積層できる「インテル 超薄型スタックドCSP」を組み合わせた携帯電話向けのフラッッシュメモリ製品。スタックド・パッケージを標準化することで大量生産を可能し、携帯電話メーカーは、容易に大容量のフラッシュメモリに対応できるという。製品には、16bitのバス幅を備えたSRAMおよびPSRAMを積層可能で、32bitのバス幅を備えたLow Power SDRAMもオプションで追加できる。 同社では、年内にも最大512Mbitの製品をリリースし、2004年には1Gbitのフラッシュメモリを提供する予定。なお、今回の発表とともに、同社がフラッシュメモリを累計20億個出荷したことも明らかにされた。 ■ ＵＲＬ 製品の案内（英文） http://developer.intel.com/design/flcomp/prodbref/251890.htm （津田 啓夢） 2003/04/10 16:28 | ||||||
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